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168. S. Anantharaj*, P.JJ. Sagayaraj, M.S. Yesupatham, R. Arulraj, K. Eswaran, K. Sekar, and S. Noda,
"The reference electrode dilemma in energy conversion electrocatalysis: "Right vs okay vs wrong","
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158. S. Anantharaj* and S. Noda,
"How properly are we interpreting the Tafel lines in energy conversion electrocatalysis?"
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157. S. Anantharaj* and S. Noda,
"Dos and don’ts in screening water splitting electrocatalysts,"
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156. S. Anantharaj* and S. Noda,
"iR drop correction in electrocatalysis: Everything one needs to know!"
J. Mater. Chem. A 10 (17), 9348-9354 (2022).
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155. S. Anantharaj* and S. Noda,
"Layered 2D PtX2 (X= S, Se, Te) for electrocatalytic HER in comparison with Mo/WX2 and Pt/C: Are we missing the bigger picture?"
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154. N. Akagi, K. Hori, H. Sugime, S. Noda, and N. Hanada*,
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153. S. Anantharaj*, S. Kundu, and S. Noda,
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Press releases in Japanese and in English

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151. S. Anantharaj*, H. Sugime, and S. Noda*,
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32. S. Noda*, Y. Tsuji, A. Sugiyama, A. Kikitsu, F. Okada, and H. Komiyama,
"c-Axis oriented face-centered-tetragonal-FePt nanoparticle monolayer formed on a polycrystalline TiN seed layer,"
Jpn. J. Appl. Phys. 44 (11), 7957-7961 (2005).
DOI:10.1143/JJAP.44.7957

31. S. Noda*, Y. Tsuji, Y. Murakami, and S. Maruyama,
"Combinatorial method to prepare metal nanoparticles that catalyze the growth of single-walled carbon nanotubes,"
Appl. Phys. Lett. 86 (17), 173106-1-3 (2005).
DOI:10.1063/1.1920417
Selected for the May 2, 2005 issue of Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology.

30. Y. Kajikawa* and S. Noda,
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29. H. Komiyama*, Y. Yamaguchi, and S. Noda,
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28. S. Noda*, T. Tsumura, J. Fukuhara, T. Yoda, H. Komiyama, and Y. Shimogaki,
"Stranski-Krastanov growth of tungsten during chemical vapor deposition revealed by micro-Auger electron spectroscopy,"
Jpn. J. Appl. Phys. 43 (10), 6974-6977 (2004).
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27. S. Noda*, R. Hirai, H. Komiyama, and Y. Shimogaki,
"Selective silicidation of Co using silane or disilane for anti-oxidation barrier layer in Cu metallization,"
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DOI:10.1143/JJAP.43.6001

26. Y. Kajikawa*, S. Noda, and H. Komiyama,
"A simple index to restrain abnormal protrusions in films fabricated using CVD under diffusion-limited conditions,"
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25. Y. Kajikawa*, S. Noda, and H. Komiyama,
"Use of process indices for simplification of the description of vapor deposition systems,"
Mater. Sci. Eng. B 111 (2-3), 156-163 (2004).
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24. Y. Kajikawa*, T. Tsumura, S. Noda, H. Komiyama, and Y. Shimogaki,
"Nucleation of W during chemical vapor deposition from WF6 and SiH4,"
Jpn. J. Appl. Phys. 43 (6B), 3945-3950 (2004).
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23. Y. Kajikawa*, T. Tsuchiya, S. Noda, and H. Komiyama,
"Incubation time during the CVD of Si onto SiO2 from silane,"
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22. M. Hu, S. Noda*, T. Okubo, and H. Komiyama,
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21. S. Noda*, K. Tanabe, T. Yahiro, T. Osawa, and H. Komiyama,
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20. S. Noda*, Y. Kajikawa, and H. Komiyama,
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18. T. Q. Li*, S. Noda*, F. Okada, and H. Komiyama,
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17. Y. Kajikawa*, S. Noda, and H. Komiyama,
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16. T. Q. Li*, S. Noda*, H. Komiyama; T. Yamamoto, and Y. Ikuhara,
"Initial growth stage of nanoscaled TiN films: Formation of continuous amorphous layers and thickness-dependent crystal nucleation,"
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15. M. Hu*, S. Noda*, T. Okubo, Y. Yamaguchi, and H. Komiyama,
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14. M. Hu*, S. Noda*, and H. Komiyama,
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12. M. Hu*, S. Noda, and H. Komiyama,
"A new insight into the growth mode of metals on TiO2(110),"
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11. Y. Kajikawa*, S. Noda, and H. Komiyama,
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10. S. Noda*, Y. Kajikawa, and H. Komiyama,
"Cone structure formation by preferred growth of random nuclei in chemical vapor deposited epitaxial silicon films,"
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9. M. Hu*, S. Noda, Y. Tsuji, T. Okubo, Y. Yamaguchi, and H. Komiyama,
"Effect of interfacial interactions on the initial growth of Cu on clean SiO2 and 3-mercaptopropyltrimethoxysilane-modified SiO2 substrates,"
J. Vac. Sci. Technol. A 20 (3), 589-596 (2002).
DOI:10.1116/1.1458941

8. T. Q. Li*, S. Noda, Y. Tsuji, T. Osawa, and H. Komiyama,
"Initial growth and texture formation during reactive magnetron sputtering of TiN on Si(111),"
J. Vac. Sci. Technol. A 20 (3), 583-588 (2002).
DOI:10.1116/1.1458944

7. Y. Kajikawa*, H. Ono, S. Noda, and H. Komiyama,
"Growth of trumpet-like protrusions during the CVD of silicon carbide films,"
Chem. Vap. Deposition 8 (2), 52-55 (2002).
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6. X.-D. Liu*, H. Funakubo, S. Noda, and H. Komiyama,
"Internal microstructure and formation mechanism of surface protrusions in Pb-Ti-Nb-O thin film prepared by MOCVD,"
Chem. Vap. Deposition 7 (6), 253-259 (2001).
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5. M. Hu*, S. Noda, T. Okubo, Y. Yamaguchi, and H. Komiyama,
"Structure and morphology of self-assembled 3-mercaptopropyltrimethoxysilane layers on silicon oxide,"
Appl. Surf. Sci. 181 (3-4), 307-316 (2001).
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4. M. Yamamoto*, S. Ona, S. Noda, and M. Sadakata,
"NO reduction under the excess O2 condition by porous VYCOR catalyst,"
J. Chem. Eng. Jpn. 34 (6), 834-839, (2001).
J-Stage

3. X.-D. Liu*, H. Funakubo, S. Noda, and H. Komiyama,
"Influence of deposition temperature on the microstructure of Pb-Ti-Nb-O thin films by metallorganic chemical vapor deposition,"
J. Electrochem. Soc. 148 (3), C227-C230 (2001).
DOI:10.1149/1.1349880

2. S. Noda*, M. Nishioka, and M. Sadakata,
"Gas-phase hydroxyl radical emission in the thermal decomposition of lithium hydroxide,"
J. Phys. Chem. B 103 (11), 1954-1959 (1999).
DOI:10.1021/jp984238

1. S. Noda*, M. Nishioka, A. Harano, and M. Sadakata,
"Gas-phase hydroxyl radical generation by the surface reactions over basic metal oxides,"
J. Phys. Chem. B 102 (17), 3185-3191 (1998).
DOI:10.1021/jp9731314

査読付き論文(和文)

3. 稲葉敦，近藤康彦，小林光雄，喜多浩之，高橋伸英，野田優，松本真太郎，森田英基，小宮山宏
「太陽光発電システムの導入によるCO2排出削減効果」
エネルギー・資源，16 (5)，532-537 (1995)．

2. 稲葉敦，近藤康彦，小林光雄，喜多浩之，高橋伸英，野田優，松本真太郎，森田英基，小宮山宏
「太陽光発電システムのライフサイクルアセスメント」
エネルギー・資源，16 (5)，525-531 (1995)．

1. 稲葉敦，近藤康彦，小林光雄，喜多浩之，高橋伸英，野田優，松本真太郎，森田英基，小宮山宏
「太陽光発電システムのライフサイクルインベントリー」
資源と環境，4 (4)，321-334 (1995)．

国際会議プロシーディング

12. M. Hu, S. Noda, H. Komiyama,
"Nanostructural evolution in non-epitaxial growth of thin films,"
Materials Research Society Symposium Proceedings, 2006-961E, O05-04 (2007).

11. S. Noda,
"Structuring knowledge on materials technology: general understanding of phenomena occurring in materials and its practical applications,"
The Third International Conference on Nanotechnology (JAPAN NANO 2005), P3-15, Tokyo, Japan, Feb. 2005.

10. S. Noda and H. Komiyama,
"Nanostructural evolution by non-epitaxial growth,"
Proc. 10th Asian Pacific Confederation of Chemical Engineering, 4C-07, Kitakyushu, Japan, Oct. 2004.

9. Y. Tsuji, S. Noda, and H. Komiyama,
"Epitaxial lift-off technology for solar cell application,"
Proc. 10th Asian Pacific Confederation of Chemical Engineering, 3D-11, Kitakyushu, Japan, Oct. 2004.

8. K. Kakehi, S. Noda, and F. Okada,
"Phase transition from semiconductor to insulator observed in rare gas- and halogen-doped SiOx thin films,"
Proc. 10th Asian Pacific Confederation of Chemical Engineering, 3D-10, Kitakyushu, Japan, Oct. 2004.

7. Y. Shimogaki, M. Sugiyama, S. Noda, and H. Komiyama,
"Initial nucleation and growth in fabrication of metal thin films by chemical vapor deposition,"
Proc. 10th Asian Pacific Confederation of Chemical Engineering, 3P-08-051, Kitakyushu, Japan, Oct. 2004.

6. Y. Shimogaki, T. Iino, M. Sugiyama, T. Momose, Y. S. Kim, T. Tsumura, Y. Kajikawa, S. Noda, and H. Komiyama,
"The initial nucleation behavior during Al, Cu, W-CVD on barrier metal layers,"
Proceedings of Material Research Society 2004 Spring Meeting, F8.10, San Francisco, April 12-16, 2004.

5. R. Hirai, S. Noda, H. Komiyama, and Y. Shimogaki,
"Selective silicidation of cobalt using SiH4 and Si2H6 for Cu metallization,"
Proceedings of the Advanced Metallization Conference 2002 (AMC 2002), San Diego, October 1-3, 2002, Materials Research Society, Conf. Proc. ULSI XVIII, 427-431 (2003).

4. S. Noda, K. Hagiwara, O. Ichikawa, K. Tanabe, T. Yahiro, H. Ohkawa, T. Osawa, and H. Komiyama,
"Closed recycle CVD process for mass production of SOG-Si from MG-Si,"
Conf. Rec. IEEE Photovoltaic Specialists Conf. 2002, 29th, 308-311.

3. Y. Tsuji, S. Noda, M. Mizukami, and H. Komiyama,
"Epitaxial technology of Si/CoSi2/Si layers for solar cell application,"
Conf. Rec. IEEE Photovoltaic Specialists Conf. 2002, 29th, 289-292.

2. M. Hu, S. Noda, Y. Ogawa, Y. Tsuji, T. Okubo, Y. Yamaguchi, and H. Komiyama,
"Study of initial growth of Cu on SiO2 and 3-mercaptopropyltrimethoxysilane-coated SiO2,"
Proc. Electrochem. Soc. 2001-13 (Fundamental Gas-Phase and Surface Chemistry of Vapor-Phase Deposition II), 41-46 (2001).

1. K. Tepsanongsuk, S. Noda, Y. Tsuji, and H. Komiyama,
"The structure control of sputtered TaN films on SiO2 through the study of evolutionary selection growth,"
Proc. Adv. Metall. Conf. 2000, 409-412 (2000).

解説・総説

3. 野田優
「カーボンナノチューブのカスタム合成と応用」
化学工学，74 (11)，629-631 (2010)．

2. 野田優
「コンビナトリアル手法を援用したCNT合成法の開発」
NEW DIAMOND，89-24 (2)，32-33 (2008)．

1. 野田優
「単層カーボンナノチューブ合成への化学工学的アプローチ」
ケミカル・エンジニヤリング，51 (8)，32-37 (2006)．

著書

10. 吾郷浩樹，齋藤理一郎監修「グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用」エヌ・ティー・エス (2020)，
　野田優「第6章 第3節 グラフェンの実用的合成技術」pp. 365-373．

9. 丸山茂夫監修「カーボンナノチューブ・グラフェンの応用研究最前線」エヌ・ティー・エス (2016)，
　野田優「1.1.1.2　流動層CVD」pp. 20-26．

8. 石原直，加藤千幸，光石衛，渡邉聡編「ナノ・マイクロスケール機械工学」東京大学出版会 (2014)，
　野田優「4.2.2　ナノ・マイクロ材料の気相合成技術」pp. 171-174．

7. 田中一義，東原秀和，篠原久典編「炭素学」化学同人 (2011)，
　野田優「16-3 透明柔軟性電極」pp. 505-511．

6. フラーレン・ナノチューブ学会編「カーボンナノチューブ・グラフェンハンドブック」コロナ社 (2011)，
　野田優「11-4-3　透明電極」pp. 248-250．

5. フラーレン・ナノチューブ学会編「カーボンナノチューブ・グラフェンハンドブック」コロナ社 (2011)，
　野田優「1-1-1 熱CVD - 単層CNTの垂直配向成長」pp. 10-14．

4. 内藤牧男 編著「究極のかたちをつくる」日刊工業新聞社 (2009)，
　野田優「カーボンナノチューブのカスタム合成」pp. 56-67．

3. 松本洋一郎, 小宮山宏 監修，藤原毅夫，丸山茂夫，伊東乾編「知識・構造化ミッション 大学は表現する」日経BP社 (2005)，
　野田優「知を活かす 薄膜成長を例として」pp. 113-127．

2. 細川益男 監修，野城清 編著「ナノパーティクル・テクノロジー」日刊工業新聞社 (2003)，
　野田優「ナノ粒子の物性，機能」pp. 223- 228．

1. 動け！日本タスクフォース編「動け！日本」日経BP社 (2003)，
　野田優，小宮山宏「太陽電池の大規模一貫製造プロセス」pp. 280- 284．

その他記事

特許

79. 発明者：野田 優，田原 和人
　「炭酸化養生システム、及び炭酸化養生方法」
　特願2024-108088，出願日：2024年7月4日．

78. 発明者：野田 優，郎 江華，直塚 悠希，文 �c力
　「カーボンナノチューブの製造装置および製造方法」
　特願2024-031195，出願日：2024年3月1日．

77. 発明者：野田 優，高橋 佳大，横井 建人，大沢 利男
　「熱界面接合部材及びその製造方法」
　特願2024-030828，出願日：2024年2月29日．

76. 発明者：野田 優，田中 駿，後藤 拓磨，蛭子 蒼太
　「カーボンナノチューブの精製方法および精製装置、ならびに、これらによって製造されるカーボンナノチューブの集合体」
　特願2024-27609，出願日：2024年2月27日．

75. 発明者：白 鎭碩，木村 浩，藤田 隆義，干場 弘治，野田 優，甲斐田 敬済，蛭子 蒼太
　「複合炭素質導電材及び非水電解質二次電池」
　特願2024-022335，2024年2月16日出願．

74. 発明者：宇城 将貴，森 泰一郎，野田 優，ウィルソン ヴィンセンティウス，��瀬 美涼，大沢 利男
　「ＣＯ２固定化方法」
　特願2023-029408，出願日2023年2月28日．
　PCT/JP2024/006644，国際出願日2024年2月22日．

73. 発明者：野田 優，前 智太郎，山岸智子
　「二次電池用負極、二次電池、および二次電池用負極の製造方法」
　特願2022-030468，出願日2022年2月28日． 特開2023-126032， JP2023-126032， 公開日2023年9月7日．

72. 発明者：越智 隼人，高橋 怜那，野田 優，安井 浩太郎，杉目 恒志
　「電界放射装置」
　特願2021-187431，出願日2021年11月17日．
　PCT/JP2022/032997，出願日2022年9月1日．WO2023/089912，国際公開日2023年5月25日．

71. 発明者：野田 優，宗像 瀬文
　「自立膜、積層シート、及び自立膜の製造方法」
　特願2021-184864，出願日2021年11月12日．特開2023-072359，公開日2023年5月24日．
　PCT/JP2022/041894，出願日2022年11月10日．WO2023/085359，国際公開日2023年5月19日．
　日本国特許第7424652号，2024年1月22日登録．

70. 発明者：野田 優，浦田 結文，大田原 綾哉，大沢 利男，杉目 恒志，名古 裕輝
　「カーボン複合体の製造方法及び製造装置」
　特願2021-145221，出願日2021年9月7日． 特開2023-38471， JP2023-038471， 公開日2023年3月17日．

69. 発明者：野田 優，沢田 哲郎，清 智弘，高橋 宏夢，蛭子 蒼太
　「窒化ホウ素ナノチューブの製造方法」
　特願2020-044670，出願日2020年3月13日．
　発明者：野田 優，沢田 哲郎，清 智弘，高橋 宏夢，蛭子 蒼太
　「窒化ホウ素ナノチューブの製造方法」
　特願2021-039571，出願日2021年3月11日． 特開2021-147309， JP2021-147309， 公開日2021年9月27日
　日本国特許第7510173号，2024年6月25日登録．

68. 発明者：野田 優，杉目 恒志，楊 孟儒，陳 鵬飛，仲川 黎，真崎 仁詩
　「カーボンナノチューブの製造方法、並びにカーボンナノチューブを含む構造体及び複合体」
　特願2020-044491，出願日2020年3月13日． 特開2021-143113， JP2021-143113， 公開日2021年9月24日．

67. 発明者：野田 優，吉江 優一，堀 圭佑
　「二次電池用正極、二次電池用正極の製造方法、二次電池」
　特願2020-044411，出願日2020年3月13日．
　PCT/JP2021/010083，出願日2021年3月12日．WO2021/182614，国際公開日2021年9月16日．

66. 発明者：野田 優，謝 栄斌
　「導電材、およびこれを利用した導電膜ならびに太陽電池」
　特願2020-039321，出願日2020年3月6日．
　PCT/JP2020/26900，出願日2020年7月9日．WO2021/176744, 国際公開日2021年9月10日．
　米国特許第11935668号，2024年3月19日登録
　日本国特許第7535728号，2024年8月8日登録．

65. 発明者：野田 優，並木 克也，張 子豪，大沢 利男，杉目 恒志
　「カーボンナノチューブの製造装置および製造方法」
　特願2019-147941，出願日2019年8月9日．
　PCT/JP2020/28754，出願日2020年7月27日．WO2021/029212，国際公開日2021年2月18日．
　日本国特許第7158646号，2022年10月14日登録．
　韓国特許第2541963号，2023年6月5日登録．
　中国特許第6101818号，2023年6月30日登録．
　米国特許第12269742号，2025年4月8日登録．

64. 発明者：杉目 恒志，佐藤 俊裕，仲川 黎，野田 優
　「カーボンナノチューブ、その製造方法および製造装置」
　特願2019-138466，出願日2019年7月29日． 特開2021-020828， JP2021-020828， 公開日2021年2月18日．

63. 発明者：野田 優，堀 圭佑，前 智太郎，橋爪 裕太
　「二次電池用負極、二次電池、および二次電池用負極の製造方法」
　特願2019-033081，出願日2019年2月26日．
　PCT/JP2020/007518，出願日2020年2月25日．WO2020/175488，国際公開日2020年9月3日．
　日本国特許第7411966号，2023年12月28日登録．
　米国特許第12266803号，2025年4月1日登録．

62. 発明者：野田 優，田中 秀明，大橋 慧，大沢 利男
　「カーボンナノチューブの精製方法および精製装置」
　特願2019-032470，出願日2019年2月26日．
　PCT/JP2020/007390，出願日2020年2月25日．WO2020/175450，国際公開日2020年9月3日．
　日本国特許第7278539号，2023年5月12日登録．

61. 発明者：野田 優，北川 紗映，安井 浩太郎，杉目 恒志，高橋 大造，錦織 祐市，越智 隼人，高橋 怜那
　「炭素−金属構造体および炭素−金属構造体の製造方法」
　特願2018-201613，出願日2018年10月26日．
　PCT/JP2019/041284，国際出願日2019年10月21日．WO2019JP41284，国際公開日2019年10月21日．
　米国特許第11527378号，2022年12月13日登録．
　韓国特許第10-2565282号，2023年8月4日登録．

60. 発明者：李 墨宸，野田 優，前田 里沙，大沢 利男，渋谷 明慶
　「触媒付着体の製造方法及び製造装置、並びに、繊維状炭素ナノ構造体の製造方法及び製造装置」
　特願2018-201217，出願日2018年10月25日．
　PCT/JP2019/040739，出願日2019年10月16日．WO2020/085170，公開日2020年4月30日．
　日本国特許第7548504号，2024年9月2日登録．

59. 発明者：野田 優，川上 慧，小林 峻司
　「柔軟導電膜及びその製造方法」
　特願2018-032603，出願日2018年2月26日． 特開2019-149262， JP2019-149262， 公開日2019年9月5日．

58. 発明者：野田 優，金子 健太郎，堀 圭佑
　「蓄電デバイス用セパレータ及びその製造方法、蓄電デバイス用一体構造物及びその製造方法」
　特願2018-032431，出願日2018年2月26日． 特開2019-149259， JP2019-149259， 公開日2019年9月5日．

57. 発明者：杉目 恒志，野田 優，大野 雄高，牛山 拓也
　「立体型櫛型電極およびその製造方法」
　特願2017-166904，出願日2017年8月31日． 特開2019-45244， JP2019-045244， 公開日2019年3月22日．

56. Inventors: Mizuhisa Nihei, Xiaosong Zhou, Yan Xu, Suguru Noda, and Mami Takabatake
　"A new carbon nanotube based board-to-board connector"
　中国出願201710543407，出願日2017年7月5日． CN107492724 (A) ，公開日2017年12月19日．
　中国特許107492724，2019年11月5日登録．

55. 発明者：野田 優，吉田 昌広，大沢 利男，渋谷 明慶
　「触媒担持体及びその調製方法」
　特願2017-028207，出願日2017年2月17日． 特開2018-130704， JP2018-130704， 公開日2018年8月23日．
　日本国特許第6810408号，2020年12月15日登録．

54. 発明者：野田 優，前田 里沙，渋谷 明慶，本郷 孝剛
　「担持触媒および炭素ナノ構造体の製造方法」
　特願2017-028205，出願日2017年2月17日．
　PCT/JP2018/005587，国際出願日2018年2月16日．WO2018/151278，公開日2018年8月23日．
　日本国特許第7093971号，2022年6月23日登録．

53. 発明者：野田 優，前田 里沙，渋谷 明慶
　「触媒付着体製造方法及び触媒付着装置」
　特願2017-028203，出願日2017年2月17日．
　PCT/JP2018/005582，国際出願日2018年2月16日．WO2018/151276，公開日2018年8月23日．
　日本国特許第7149524号，2022年9月29日登録．

52. 発明者：野田 優，岡田 翔平，五十嵐 達也，片岡 祥平
　「カーボンナノチューブ製造用の触媒前駆組成物とその製造方法、および、触媒前駆組成物を用いたカーボンナノチューブの製造方法と製造装置」
　特願2017-022762，出願日2017年2月10日． 特開2018-126705， JP2018-126705， 公開日2018年8月16日．
　日本国特許第6675647号，2020年3月13日登録．

51. 発明者：野田 優
　「二次電池」
　特願2017-001386，出願日2017年1月6日．
　PCT/JP2017/046214，国際出願日2017年12月22日．WO2018/128099A1，国際公開日2018年7月12日．
　日本国特許第6860125号，2021年3月30日登録．
　米国特許第11081701号，2021年8月3日登録．
　中国特許第110199427号，2022年6月28日登録．

50. 発明者：野田 優，川端 孝祐，大沢 利男，本郷 孝剛
　「繊維状炭素ナノ構造体製造装置及び繊維状炭素ナノ構造体製造方法」
　特願2016-044574，出願日2016年3月8日．
　PCT/JP2017/006000，国際出願日2017年2月17日．WO2017/154529, 国際公開日2017年9月14日.
　日本国特許第6755029号，2020年8月27日登録．
　中国特許第5287321号，2022年7月8日登録．

49. 発明者：野田 優，川端 孝祐，大沢 利男，蜂谷 宗一郎，本郷 孝剛
　「粒子処理装置、並びに粒子担持体、及び／又は繊維状炭素ナノ構造体の製造方法」
　特願2016-36479，出願日2016年2月27日．
　PCT/JP2017/005992，国際出願日2017年2月17日．WO2017/145952, 公開日2017年8月31日.
　中国特許第108778493号，2022年2月11日登録．
　日本国特許第6875705号，2021年4月27日登録．

48. 発明者：野田 優，蜂谷 宗一郎，陳 忠明，本郷 孝剛
　「繊維状炭素ナノ構造体の製造方法」
　特願2016-36478，出願日2016年2月27日．
　PCT/JP2017/002001，国際出願日2017年1月20日．WO2017/145604, 国際公開日2017年8月31日.
　欧州特許第3421424号，2020年12月2日登録．英仏独
　日本国特許第6816096号，2020年12月25日登録．
　米国特許第10954128号，2021年3月23日登録．
　韓国特許第10-2669941号，2024年5月23日登録．

47. 発明者：野田 優，川端 孝祐，本郷 孝剛
　「触媒担持体及び繊維状炭素ナノ構造体の製造方法」
　特願2016-36477，出願日2016年2月27日．
　PCT/JP2017/005989，国際出願日2017年2月17日．WO2017/145950, 国際公開日2017年8月31日.
　日本国特許第6860174号，2021年3月30日登録．
　米国特許第11,364,486号，2022年6月21日登録．
　韓国特許第10-2699854号，2024年8月23日登録．

46. 発明者：太田 アウン，大島 久純，野田 優，吉原 悠
　「カーボンナノチューブ付部材、その製造方法、およびその製造装置」
　特願2016-35991，出願日2016年2月26日．
　PCT/JP2016/081204，国際出願日2016年10月26日．WO2017/145439，国際公開日2017年8月31日．
　日本国特許第6515838号，2019年4月26日登録．
　中国特許第CN108698025号，2021年8月17日登録．

45. 発明者：野田 優，浜田 航綺
　「カーボンナノチューブおよび中空炭素粒子を含む複合体、その製造方法および製造装置」
　特願2016-35775，出願日2016年2月26日．
　「金属粒子を含むカーボンナノチューブ混合物から金属粒子を除去する除去方法、除去装置、および、それらによって得られるカーボンナノチューブと中空炭素粒子との複合体」
　PCT/JP2017/007150，国際出願日：平成29年2月24日．WO 2017/146218, 国際公開日2017年8月31日.
　日本国特許第7044372号，2022年3月22日登録．

44. 発明者：野田 優，岡田 翔平，大沢 利男，五十嵐 達也，片岡 祥平
　「カーボンナノチューブの製造装置および製造方法」
　特願2016-34442，出願日2016年2月25日． 特開2017-149612， JP2017-149612， 公開日2017年8月31日．
　日本国特許第6455988号，2018年12月28日登録．

43. 発明者：野田 優，青井 慈喜
　「自立した銅薄膜の製造方法」
　特願2015-056753，出願日2015年3月19日． 特開2016-176104， JP2016-176104， 公開日2016年10月6日．

42. 発明者：野田 優，青井 慈喜，森川 裕介，本田 陽一郎
　「複合膜及びその製造方法」
　特願2015-043021，出願日2015年3月4日．
　PCT/JP2016/055888，国際出願日2016年2月26日．WO2016/140168，国際公開日2016年9月9日．

41. 発明者：野田 優，山口 麻衣，大沢 利男
　「カーボンナノチューブの製造装置」
　特願2015-032114，出願日2015年2月20日．
　特開2016-153353， JP2016-153353， 公開日2016年8月25日．
　日本国特許第6418690号，2018年10月19日登録．

40. Inventors: Suguru Noda, Nuri Na, and Mizuhisa Nihei,
　"HEAT DISSIPATION STRUCTURE AND SYNTHESIZING METHOD THEREOF"
　PCT/CN2014/078928, 国際出願日2014年5月30日. WO 2015/180135, 国際公開日2015年3月12日.

39. 発明者：出井宏明，田中斎仁，大竹富明，野田優，大沢利男，中村典義，吉田五兵衛，林裕一，坪井隆明
　出願人：株式会社クラレ，学校法人早稲田大学，本荘ケミカル株式会社
　「カーボンナノチューブの製造装置と製造方法」
　特願2014-027400，出願日2014年2月17日．特開2015-151316，公開日2015年8月24日．

38. 発明者：野田優，大場一哲，杉野裕亮，塚田高行，石栗徳崇，泉田淳一
　出願人：保土谷化学工業株式会社，学校法人早稲田大学
　「気相法微細炭素繊維の製造方法」
　特願2014-023693，出願日2014年2月10日． 特開2015-151277， JP2015-151277， 公開日2015年8月24日．
　日本国特許第6403144号，2018年9月21日登録．

37. 発明者：野田優，増田竜也，岡部隆志
　出願人：早稲田大学，JX日鉱日石エネルギー株式会社
　「グラフェンの製造方法」
　特願2013-047141，出願日2013年3月8日． 特開2014-172788， JP2014-172788， 公開日2014年9月22日．

36. 発明者：野田優，金東榮，今佑介，陳忠明，羽場英介，上田俊輔
　出願人：国立大学法人東京大学，日立化成工業株式会社
　「熱交換反応器」
　特願2012-189305，出願日2012年8月29日．
　PCT/JP2013/073050，国際出願日2013年8月28日． WO 2014/034739，国際公開日2013年8月28日．
　日本国特許第6230071号，2017年10月27日登録．
　米国特許第10526707B2号，2020年1月7日登録．
　韓国特許第2166813号，2020年10月12日登録．

35. 発明者：野田優，金東榮，大野雄高，深谷徳宏
　出願人：国立大学法人東京大学，国立大学法人名古屋大学
　「透明電極、導電性透明薄膜の製造方法ならびに導電性透明薄膜」
　特願2012-185888，出願日2012年8月24日．特開2014-44839， JP2014-044839， 公開日2014年3月13日．
　日本国特許第6044823号，2016年11月25日登録．

34. 発明者：野田優，陳忠明，金東榮，上田俊輔，羽場英介
　出願人：国立大学法人東京大学，日立化成工業株式会社
　「カーボンナノチューブ及びその製造方法」
　特願2012-141428，出願日2012年6月22日．
　PCT/JP2013/066971，国際出願日2013年6月20日． WO 2013/191253，国際公開日2013年12月27日．
　日本国特許第6338219号，2018年5月18日登録．
　米国特許第9463981号，2016年10月11日登録．
　欧州特許第2865644号，2018年1月31日登録．
　加国特許第2877612号，2020年9月15日登録．
　韓国特許第2164225号，2020年10月5日登録．

33. 発明者：野田優，陳忠明，金東榮，上田俊輔，羽場英介
　出願人：国立大学法人東京大学，日立化成工業株式会社
　「カーボンナノチューブ合成用炭素含有金属触媒粒子及びその製造方法、並びに触媒担持支持体、カーボンナノチューブの製造方法」
　特願2012-141427，出願日2012年6月22日．
　PCT/JP2013/066953，国際出願日2013年6月20日． WO 2013/191247，国際公開日2013年12月27日．
　日本国特許第6095173号，2017年2月24日登録．
　中国特許第104379254号，2017年3月22日登録．
　米国特許第10357765B2号，2019年7月23日登録．
　欧州特許第2865445号，2020年7月29日登録．

32. 発明者：野田優，李重昊，山本武継，松本慎吾
　出願人：国立大学法人東京大学，住友化学株式会社
　「Ｓｉと金属Ｍとを含む膜の製造方法」
　特願2011-128354，出願日2011年6月8日．
　PCT/JP2012/064825，国際出願日2012年6月8日． WO 2012/169625，国際公開日2012年12月13日．
　日本国特許第5940380号，2016年5月27日登録．

31. 発明者：野田優，辻佳子，石橋健一
　出願人：国立大学法人東京大学，株式会社半一
　「単結晶シリコン薄膜の製造方法、単結晶シリコン薄膜デバイスの製造方法及び太陽電池デバイスの製造方法並びに単結晶シリコン薄膜及びそれを用いた単結晶シリコン薄膜デバイス及び太陽電池デバイス」
　特願2011-046988，出願日2011年3月3日． 特開2012-186229， JP2012-186229， 公開日2012年9月27日．

30. 発明者：野田優，高野宗一郎
　出願人：科学技術振興機構
　「基板上グラフェンの製造方法、基板上グラフェン、ならびに、グラフェンデバイス」
　特願2011-42781，出願日2011年2月28日．
　「グラフェンの製造方法、基板上に製造されたグラフェン、ならびに、基板上グラフェン」
　PCT/JP2012/054810，国際出願日2012年2月27日． WO 2012/118023，国際公開日2012年9月7日．
　日本国特許第5152945号，2012年12月14日登録．
　韓国特許第10-1396419号，2014年5月12日登録．
　米国特許第8772181号，2014年7月8日登録．
　中国特許第103429530号，2015年11月25日登録．
　欧州特許第2682366号，2016年11月2日登録．（英仏独）
　印国特許第294595号，2018年3月20日登録．

29. 発明者：古市考次，野田優
　出願人：大日本スクリーン製造株式会社，国立大学法人東京大学
　「化学気相成長装置および化学気相成長方法」
　特願2010-184771，出願日2010年8月20日． 特開2012-41607， JP2012-041607， 公開日2012年3月1日．
　日本国特許第5754763号，2015年6月5日登録．

28. 発明者：羽場英介，野田優，長谷川馨
　出願人：日立化成工業株式会社，国立大学法人東京大学
　「カーボンナノチューブの製造方法」
　特願2010-239584，出願日2010年10月26日．
　PCT/JP2011/074720，国際出願日2011年10月26日． WO 2012/057229，国際公開日2012年3月5日．
　米国特許第9096435B2号，2015年8月4日登録．
　日本国特許第6202359号，2017年9月8日登録．
　欧州特許第2634138号，2018年1月10日登録．（英仏独）
　韓国特許第10-1936447号，2019年1月2日登録．
　加国特許第2815678号，2019年2月12日登録．

27. 発明者：野田優，朴相�c，伊藤龍平，長谷川馨，杉目恒志
　出願人：国立大学法人東京大学
　「カーボンナノチューブの製造方法、カーボンナノチューブの製造装置、
　　カーボンナノチューブ、およびカーボンナノチューブ構造体」
　特願2010-156278，出願日2010年7月9日． 特開2012-17228， JP2012-17228， 公開日2012年1月26日．

26. 発明者：野田優，白鳥洋介
　出願人：国立大学法人東京大学
　「パターン状電子源の製造方法、パターン状電子源」
　特願2010-133888，出願日2010年6月11日． 特開2011-258502， JP2011-258502， 公開日2011年12月22日．

25. 発明者：野田優，大沢利男，金東榮，羽場英介，上田俊輔
　出願人：国立大学法人東京大学，日立化成工業株式会社
　「ナノカーボン材料製造装置」
　特願2010-35239，出願日2010年2月19日．
　PCT/JP2011/053420，国際出願日2011年2月17日． WO 2011/102433 A1，国際公開日2011年8月25日．
　日本国特許第5862559号，2016年1月8日登録．
　米国特許US9315384号，2016年4月19日登録．
　欧州特許第2537799号，2019年9月11日登録．
　韓国特許KR101864455，2018年5月29日登録．
　加国特許第2790021号，2017年8月29日登録．

24. 発明者：野田優，諸隈慎吾，山本武継
　出願人：国立大学法人東京大学，住友化学株式会社
　「シリコン膜およびリチウム二次電池」
　特願2009-280187，出願日2009年12月10日．
　PCT/JP2010/072255，国際出願日2010年10月10日．WO 2011/071154 A1，国際公開日2011年6月16日．
　日本国特許第5473576号，2014年2月14日登録．
　中国特許第102652183号，2015年8月19日登録．

23. 発明者：野田優，金東榮，大沢利男，杉目恒志，長谷川馨，羽場英介
　出願人：国立大学法人東京大学，日立化成工業株式会社
　「カーボンナノチューブ及び水素の同時製造方法、並びに、カーボンナノチューブ及び水素の同時製造装置」
　特願2009-209844，出願日2009年9月10日．
　PCT/JP2010/065514，国際出願日2009年9月9日．WO 2011/030821 A1，国際公開日2011年3月17日．
　米国特許第9061909号，2015年6月23日登録．
　日本国特許第6056904号，2016年12月16日登録．
　韓国特許第10-1785593号，2017年9月29日登録．
　加国特許第2773996号，2017年12月5日登録．
　欧州特許第2476648号，2018年7月25日登録．
　米国特許第10633249号，2020年4月28日登録．

22. 発明者：野田優，古市考次
　出願人：国立大学法人東京大学，大日本スクリーン製造株式会社
　「化学気相成長装置、化学気相成長方法」
　特願2009-178815，出願日2009年7月31日． 特開2011-32120， JP2011-032120， 公開日2011年2月17日．

21. 発明者：野田優，古市考次，白鳥洋介
　出願人：国立大学法人東京大学，大日本スクリーン製造株式会社
　「面発光装置」
　特願2008-278873，出願日2008年10月29日． 特開2010-108723， JP2010-108723， 公開日2010年5月13日．

20. 発明者：野田優，古市考次
　出願人：国立大学法人東京大学，大日本スクリーン製造株式会社
　「カーボンナノチューブ形成方法」
　特願2008-278869，出願日2008年10月29日．
　PCT/JP2009/068516，国際出願日2009年10月28日．WO 2010/050517 A1，国際公開日2010年5月6日．
　日本国特許第5246765号，2013年4月19日登録．
　米国特許第8435601号，2013年5月7日登録．
　韓国特許第10-1268625号，2013年5月22日登録．

19. 発明者：野田優，古市考次，白鳥洋介，辻佳子，杉目恒志
　出願人：国立大学法人東京大学，大日本スクリーン製造株式会社
　「フィールドエミッション装置、ならびに、その製造方法」
　特願2008-089078，出願日2008年3月31日． 特開2009-245672， JP2009-245672， 公開日2009年10月22日．
　韓国特許第10-1060382号，登録日：2011年8月23日．
　中国特許第ZL200910132528.3号，登録日2012年5月30日．

18. 発明者：野田優，杉目恒志，山口由岐夫，大沢利男，筧和憲，長谷川馨，金東榮
　出願人：日立化成工業株式会社
　「カーボンナノチューブの製造方法」
　特願2008-058825，出願日2008年3月7日．
　PCT/JP2009/054284，国際出願日2009年3月6日．WO 2009/110591 A1，国際公開日2009年9月11日．
　中国特許第101959793号，2013年5月8日登録．
　日本国特許第5447367号，2014年1月10日登録．
　米国特許第9073045号，2015年7月7日登録．
　韓国特許第10-1543052号，2015年8月3日登録．

17. 発明者：野田優，高嶋智史
　出願人：野田優，キヤノンアネルバ株式会社
　「配線形成方法及び配線形成装置」
　特願2008-034985，出願日2008年2月15日．
　「金属埋め込み方法及び凹部に金属を堆積させるための装置」
　PCT/JP2009/052543，国際出願日2009年2月16日．WO 2009/102056 A1，国際公開日2009年8月20日．
　日本国特許第4723678号，2011年4月15日登録．
　米国特許第8349145号，2013年1月8日登録．

16. 発明者：野田優，杉目恒志，山口由岐夫
　出願人：日立化成工業株式会社
　「カーボンナノチューブの製造方法」
　特願2006-244643，出願日2006年9月8日．
　PCT/JP2007/067539，国際出願日2007年9月7日．WO 2008/029927 A1，国際公開日2008年3月13日．
　米国特許第8518363号，2013年8月27日登録．
　日本国特許第5509595号，2014年4月4日登録．

15. 発明者：全基栄，坂本仁志，野田優
　出願人：三菱重工業株式会社，野田優
　「薄膜作製装置」
　特願2006-008230，出願日2006年1月17日． 特開2007-191729， 公開日2007年8月2日．
JP2007-191729， 　日本国特許第4405973号，2009年11月13日登録．

14. 発明者：野田優
　出願人：東京大学
　「磁気記録媒体及びその製造方法」
　特願2005-207868，出願日2005年7月15日． 特開2007-26558， JP2007-026558， 公開日2007年2月1日．

13. 発明者：野田優
　出願人：大日本スクリーン製造株式会社，野田優
　「カーボンナノチューブデバイス及びカーボンナノチューブデバイスの製造方法」
　特願2004-219371，出願日2004年7月27日．
　PCT/JP2005/13629，国際出願日2005年7月26日． WO 2006/011468 A1， 国際公開日2006年2月2日．
　韓国特許出願第10-845653号，2008年7月4日登録．
　中国特許第2010071200102440号，2010年7月15日登録．
　日本国特許第4558735号，2010年7月30日登録．
　米国特許第8,642,126号，2014年2月4日登録．

12. 発明者：野田優，丸山茂夫
　出願人：化学工学会
　「カーボンナノチューブデバイス及びカーボンナノチューブデバイスの製造方法」
　特願2004-219370，出願日2004年7月27日． 特開2006-35379， JP2006-035379， 公開日2006年2月9日．

11. 発明者：坂本仁志，野田優
　出願人：三菱重工業株式会社，野田優
　「薄膜作製方法及び薄膜作製装置」
　特願2004-050950，出願日2004年2月26日． 特開2005-240091， JP2005-240091， 公開日2005年9月8日．

10. 発明者：末富栄一，深沢孝二，霜垣幸浩，杉山正和，野田優
　出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
　「ハイブリッド反応モデルを用いたシミュレーションシステムまたはシミュレーション方法」
　特願2004-023615，出願日2004年1月30日． 特開2005-217276， JP2005-217276， 公開日2005年8月11日．
　日本国特許第4449472号，登録日2010年2月5日．

9. 発明者：野田優
　出願人：科学技術振興機構／野田優
　「単結晶薄膜の製造方法及び単結晶薄膜デバイス」
　特願2004-7754，出願日2004年1月15日．
　PCT/JP2004/019195，国際出願日2004年12月22日． WO 2005/069356 A1， 国際公開日2005年7月28日．
　台湾特許I281705，登録日：2007年5月21日，期限：2024年12月27日．
　韓国特許799144号，登録日：2008年1月23日，期限：2024年12月22日．
　中国特許第ZL200480041710.3号，登録日：2008年11月12日，期限：2024年12月22日．
　日本国特許：第5330349号，登録日：2013年8月2日．
　EP特開EP-A-2256786，公開日2010年12月1日．
　米国特許第7887632号, 2011年2月15日登録． 　米国特許第9130111号, 2015年9月8日登録．

8. 発明者：坂本仁志，野田優
　出願人：三菱重工業株式会社，野田優
　「薄膜作製方法及び薄膜作製装置」
　特願2003-374182，出願日2003年11月4日．特開2005-139476，2005年06月02日．
　日本国特許第3937411号，2007年4月6日登録．

7. 発明者：野田優
　出願人：科学技術振興機構
　「ナノ粒子デバイス及びナノ粒子デバイスの製造方法」
　特願2003-306045，出願日2003年8月29日．
　特願2004-105046，出願日2004年3月31日．
　PCT/JP2004/012261，国際出願日2004年8月26日． WO 2005/022565 A1， 国際公開日2005年3月10日．

6. 発明者：辻佳子，野田優
　出願人：科学技術振興機構
　「錐体型微小構造体及びその製造方法」
　特願2003-291802，出願日2003年8月11日． 特開2005-63798， JP2005-063798， 公開日2005年3月10日．

5. 発明者：小宮山宏，山口由岐夫，野田優
　出願人：東京大学
　「材料設計支援方法ならびにそのシステム」
　特願2001-378137，出願日2001年12月12日． 特開2003-178102， JP2003-178102， 公開日2003年06月27日．
　日本国特許第4047581号，2007年11月30日登録．

4. 発明者：小宮山宏，野田優，岩間政明
　出願人：小宮山宏，野田優，岩谷産業株式会社
　「アモルファス膜からの大粒径の結晶薄膜の製造方法」
　特願2001-331772，出願日2001年10月30日． 特開2003-133231， JP2003-133231， 公開日2003年05月09日．

3. 発明者：小宮山宏，野田優，出願人：小宮山宏，野田優
　「目的膜の製造方法」
　特願2000-353112，出願日2000年11月20日．
　発明者：小宮山宏，野田優，出願人：小宮山宏，野田優
　「結晶性の良い目的膜の製造方法」
　特願2001-230240，出願日2001年7月30日．
　発明者：小宮山宏，野田優，辻佳子，出願人：小宮山宏，野田優
　「結晶性の良い目的膜の製造方法」
　PCT/JP2001/010111，国際公開日：2001年11月20日． WO 2002/040751 A1， 国際公開日：2002年5月23日．

2. 発明者：小宮山 宏，奥山 喜久夫，松方 正彦，江頭 靖幸，野田 優
　出願人：小宮山 宏，奥山 喜久夫，松方 正彦，江頭 靖幸，野田 優
　「構造解析システム，構造解析方法，および，データ構造」
　特願2000-058931，出願日2000年03月03日， 特開2001-249946， JP2001-249946， 公開日2001年09月14日．

1. 発明者：野田 優，定方 正毅
　出願人：科学技術振興機構
　「固−気−固触媒反応による排ガスの酸化処理方法」
　特願1999-38180，出願日1999年02月17日， 特開2000-237544， JP2000237544， 公開日2000年09月05日．